真空電子
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Kaufman放電室二次電子溫度的計(jì)算方法研究
二次電子溫度計(jì)算是研究Kaufman放電室的核心內(nèi)容之一。針對(duì)Kaufman放電室建立穩(wěn)態(tài)平板非均勻放電模型對(duì)二次電子溫度進(jìn)行求解。
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回旋管磁控注入電子槍的設(shè)計(jì)
以磁控注入電子槍的絕熱壓縮理論和角動(dòng)量守恒關(guān)系為基礎(chǔ)，編寫(xiě)了磁控注入電子槍的計(jì)算程序MGUN，利用該程序完成了一個(gè)輸出功率為56kW 的W波段二次諧波回旋振蕩管磁控注入電子槍的初步設(shè)計(jì)。
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過(guò)模表面波振蕩器輸出太赫茲波模式的影響因素分析
采用軸向電場(chǎng)分解與PIC( Particle-in-cell) 模擬相結(jié)合的方法，研究了二極管參數(shù)、引導(dǎo)磁場(chǎng)和輸出結(jié)構(gòu)等因素對(duì)0. 14 THz 過(guò)模表面波振蕩器輸出太赫茲波模式的影響。
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毫米波準(zhǔn)光高階模式激勵(lì)器的研究與設(shè)計(jì)
基于毫米波準(zhǔn)光模式傳輸和變換理論，詳細(xì)研究了準(zhǔn)光模式激勵(lì)器通過(guò)波紋喇叭天線(xiàn)、準(zhǔn)拋物柱面反射器和同軸開(kāi)放式諧振腔激勵(lì)圓極化高階目標(biāo)模式的原理。
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基于T5離子推力器無(wú)拖曳飛行技術(shù)
基于T5離子推力器無(wú)拖曳飛行，論述了從入軌測(cè)試到執(zhí)行任務(wù)的技術(shù)特點(diǎn)、運(yùn)行及性能。并對(duì)T5離子推力器在大氣阻尼補(bǔ)償系統(tǒng)中的應(yīng)用做了總結(jié)，提出了離子推力器發(fā)展應(yīng)用的建議。
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窯爐的技術(shù)經(jīng)濟(jì)性———推板窯交互設(shè)計(jì)
簡(jiǎn)要概述了窯爐定制時(shí)的技術(shù)經(jīng)濟(jì)性選型原則;選型及設(shè)計(jì)制造時(shí)，雙方應(yīng)仔細(xì)交流燒成工藝參數(shù)的重要性，強(qiáng)調(diào)設(shè)計(jì)熱工、電參數(shù)、耐火保溫材料的影響和窯爐壽命的影響、運(yùn)行成本的影響。
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鹽添加物對(duì)溶液燃燒—碳熱還原制備AlN的影響
采用溶液燃燒合成—碳熱還原法制備了AlN粉末，研究了NaCl、NaF添加物對(duì)制備的前驅(qū)物、氮化過(guò)程及AlN粉末形貌的影響。
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無(wú)壓燒結(jié)AlN(Y2O3)陶瓷熱導(dǎo)率的溫度關(guān)系
本文采用無(wú)壓燒結(jié)技術(shù)，以Y2O3為燒結(jié)助劑，研究測(cè)試溫度與AlN陶瓷熱導(dǎo)率的關(guān)系。
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陶瓷高價(jià)反離子直接凝固注模成型工藝
本文將就陶瓷高價(jià)反離子直接凝固注模成型的理論基礎(chǔ)，實(shí)現(xiàn)方法及性能等方面進(jìn)行闡述，并對(duì)該工藝的未來(lái)發(fā)展方向進(jìn)行展望。
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燒結(jié)制度對(duì)BeO陶瓷性能的影響
本文分別采用一次燒成與二次燒成兩種燒成方式，利用現(xiàn)有的氧化鈹造粒料，制作標(biāo)準(zhǔn)的測(cè)試件在不同的燒成溫度下燒結(jié)成瓷。
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成型工藝對(duì)高介薄型單層陶瓷電容器電阻性能影響
本文通過(guò)研究不同成型工藝對(duì)薄型電容器電阻性能及內(nèi)部顯微結(jié)構(gòu)的影響規(guī)律，為以后該類(lèi)電容器的工業(yè)化生產(chǎn)奠定工藝基礎(chǔ)。
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真空電子器件用氧化鋁陶瓷顯微結(jié)構(gòu)的研究
本文著重研究氧化鋁陶瓷的顯微結(jié)構(gòu)，并討論其顯微結(jié)構(gòu)與化學(xué)組成、工藝、性能的關(guān)系。
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真空焊接模具用可加工陶瓷的研制
本文針對(duì)用戶(hù)提出的新問(wèn)題，分析氟金云母陶瓷產(chǎn)生鼓泡掉渣、真空放氣的根本原因，并通過(guò)優(yōu)化制備工藝，解決了鼓泡掉渣、真空放氣問(wèn)題。
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本文根據(jù)氧化鋁陶瓷絕緣子在微波電真空器件中的應(yīng)用條件，結(jié)合實(shí)