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微型化原子磁力儀靈敏度上限的原子氣室尺寸依賴性分析

本文通過分析原子磁力儀的工作原理，對堿金屬原子在原子氣室中的自旋弛豫過程進行了深入分析，并通過理論計算探究了氣室尺寸對原子磁力儀靈敏度上限的影響規(guī)律，為微型化原子磁力儀的優(yōu)化設(shè)計提供理論依據(jù)。

提高含硅納米晶LED亮度的方法研究

本文研究了Si-nc濃度、襯底材料的電阻率、Si-nc與不同基體之間的界面勢壘、場效應(yīng)、電致表面等離子體等方法對硅納米晶的電致發(fā)光強度的影響。

硬質(zhì)涂層的發(fā)展、現(xiàn)狀及未來

未來隨著工業(yè)需求的不斷增加，對硬質(zhì)涂層的要求也將愈發(fā)嚴格。未來的涂層將有兩大趨勢：超硬涂層和低摩擦系數(shù)涂層。

真空技術(shù)在海水淡化領(lǐng)域的應(yīng)用現(xiàn)狀與發(fā)展趨勢

本文主要綜述真空技術(shù)在海水淡化領(lǐng)域里的應(yīng)用、現(xiàn)狀和發(fā)展方向，討論大規(guī)模從海水生產(chǎn)淡水的有關(guān)問題。

真空過濾設(shè)備操作安全注意事項

本文列舉了真空過濾設(shè)備操作安全注意事項。

環(huán)氧底漆表面合成超疏水涂層減阻性能研究

本文采用大氣壓冷弧等離子體射流在防腐涂料表面上沉積超疏水涂層，研究了超疏水涂層的表面潤濕性、物理形貌及化學(xué)成分的變化，并利用差壓流阻測試裝置對比了等離子沉積超疏水涂層前后的減阻效果，分析了其減阻機理。

晶硅良好表面鈍化技術(shù)及其在n型電池中的應(yīng)用

本文旨在分析與綜述近年來常用的電池鈍化技術(shù)機理，各種鈍化薄膜制備、性質(zhì)與電池中應(yīng)用情況，介紹快速發(fā)展的典型n 型電池結(jié)構(gòu)及鈍化技術(shù)在其中的應(yīng)用，為下一步快速發(fā)展的電池鈍化技術(shù)提供思考與借鑒。

AuPdPt-WC/C復(fù)合材料作為直接甲醇燃料電池陰極催化劑的性能研究

本實驗以碳化鎢(WC)增強的AuPdPt-WC/C復(fù)合催化劑作為直接甲醇燃料電池(DMFC)的陰極催化劑，選取了各組元比例，溫度為變量，測試了其作為DMFC 催化劑的性能。

納米壓印連續(xù)脫模與分段脫模數(shù)值模擬研究

納米壓印脫模過程中模板和膠層根部應(yīng)力集中現(xiàn)象可能會導(dǎo)致光刻膠成型破損，這是影響壓印質(zhì)量好壞的主要原因之一。本文進行了連續(xù)脫模和分段脫模脫模過程數(shù)值模擬，獲得了脫模過程中的有效應(yīng)力分布和變化。

基于等離子體氧化技術(shù)的醫(yī)用鈦材料親水性表面制備研究

本文采用噴砂酸蝕(Sandblasting and acidetching，SLA)處理后的鈦試樣進行等離子體氧化的優(yōu)化。選擇不同的工藝參數(shù)進行試驗，在試驗范圍內(nèi)，得出最優(yōu)的工藝參數(shù)，并分析優(yōu)化后的鈦試樣表面的成分、價態(tài)以及接觸角。

直線等離子體裝置中氬等離子體熱負荷特性研究

為了了解裝置中等離子體所攜帶的熱負荷特性，本文通過測量不同輸出功率下氬等離子體在不同磁場、不同流量時的熱負荷，研究了氬等離子體的熱負荷特性，詳細介紹了磁場、氣體流量和輸出功率對氬等離子體熱負荷的影響，

刻蝕機裝備設(shè)計中的序貫試驗設(shè)計方法研究

450mm晶圓刻蝕機開發(fā)中大量應(yīng)用確定性仿真來模擬腔室內(nèi)部物理、化學(xué)環(huán)境，并通過仿真結(jié)果指導(dǎo)裝備結(jié)構(gòu)的詳細設(shè)計。為控制仿真試驗的采樣規(guī)模以縮短開發(fā)周期，本文詳細介紹一種新型的基于采樣密度和非線性度的序貫設(shè)

低溫多效海水淡化用蒸汽噴射器的優(yōu)化設(shè)計

提高蒸汽噴射器性能，能夠降低低溫多效海水淡化系統(tǒng)能耗，采用理論推導(dǎo)和數(shù)值模擬相結(jié)合的方法對噴射器性能進行研究。在噴射器索科洛夫設(shè)計方法的基礎(chǔ)上，修正了噴射器最大可達噴射系數(shù)的計算模型。

工作氣壓對多脈沖鞘層動力學(xué)行為的影響

電子束快速成型機聚焦及偏掃系統(tǒng)的工程實現(xiàn)

闡述了電子束快速成型機聚焦及偏掃系統(tǒng)在工程上所遇到的幾個問題及解決方法。本文介紹電子束快速成型機聚焦及偏掃系統(tǒng)幾個工程問題的解決方法。

電感耦合放電對雙頻容性耦合Ar-N2等離子體物理特性的影響

本文使用電感耦合增強的雙頻容性等離子體化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)，采用不同頻率組合放電產(chǎn)生等離子體，探索產(chǎn)生高密度均勻等離子體的條件。

ICP刻蝕4H-SiC柵槽工藝研究

為避免金屬掩膜易引起的微掩膜，本文采用SiO2作為掩膜，詳細研究了不同工藝參數(shù)包括ICP功率、RF偏壓功率、壓強、氧氣含量等對SiC槽柵區(qū)域的刻蝕速率、SiC與SiO2的刻蝕選擇比、刻蝕形貌的影響。

真空技術(shù)在電裝工藝中的應(yīng)用

真空技術(shù)在電裝工藝中的應(yīng)用，主要是真空灌封、真空浸漆和真空涂覆等幾個方面。

真空水力輸送管道的數(shù)值模擬研究

分析了不同類型真空排水系統(tǒng)水力輸送的研究重點。討論了真空水力輸送管道的流動形態(tài)及其非恒定流問題。介紹了一種用于真空水力輸送管道模擬的氣液雙流體模型。

SIMS濺射深度剖析的定量分析

本文綜述了二次離子質(zhì)譜(Secondary Ion Mass Spectroscopy，SIMS)濺射深度剖析的發(fā)展歷史，介紹了SIMS 濺射深度剖析的定量分析方法。