選取95Al₂O₃陶瓷體作為金屬化基體,采用Cu 粉在微波作用下進(jìn)行金屬化實(shí)驗(yàn),研究了微波功率、處理時(shí)間、保護(hù)措施和金屬化配方對(duì)微波金屬化質(zhì)量的影響。對(duì)金屬化成分和表面結(jié)構(gòu)進(jìn)行了分析。結(jié)果表明,在氧化氣氛中,微波3kW/10min處理,炭粉埋燒保護(hù)和金屬化配方添加5%SiC和5%(質(zhì)量比) C粉的條件下,在95Al₂O₃陶瓷表面可獲得較好的Cu金屬化效果。

　　陶瓷金屬化是在陶瓷表面附著一層金屬,便于實(shí)現(xiàn)導(dǎo)電、焊接、密封等功能,是電子陶瓷元器件封裝、引線、電路布線的關(guān)鍵技術(shù)之一,也可用于陶瓷/陶瓷、陶瓷/ 金屬連接等領(lǐng)域。針對(duì)陶瓷金屬化已開(kāi)展了大量的研究。已有的陶瓷金屬化技術(shù)可大致分為高溫法(依賴(lài)溫度的組分?jǐn)U散) 、化學(xué)法(化學(xué)鍍)和物理法(蒸發(fā)或?yàn)R射) ,最常用的高溫法由于陶瓷與金屬熔融溫度的差異,一般需引入玻璃類(lèi)低熔組分,不但使陶瓷/金屬界面連接強(qiáng)度受到局限,還會(huì)導(dǎo)致一定程度的信號(hào)延遲和損耗增大等問(wèn)題。化學(xué)法可實(shí)現(xiàn)較高的布線密度和精度,然而其附著強(qiáng)度低、氣密性差。物理法能實(shí)現(xiàn)金屬附著性和可靠性具佳的金屬化效果,并能獲得復(fù)雜電路圖案,但設(shè)備成本高,效率低,不適合規(guī)模化生產(chǎn)。多年來(lái),圍繞上述幾類(lèi)金屬化方法,各國(guó)科學(xué)家開(kāi)展了各具特色的研究,滿(mǎn)足了電子行業(yè)多方面的發(fā)展需求。然而,近年來(lái)電子技術(shù)的快速發(fā)展,尤其是在器件微型化、氣密性和嚴(yán)酷工作環(huán)境下的高穩(wěn)定性等方面,對(duì)陶瓷金屬化技術(shù)的要求越來(lái)越苛刻,已有金屬化技術(shù)面臨嚴(yán)峻的挑戰(zhàn)。

　　與傳統(tǒng)加熱相比,微波加熱具有快捷、方便、效、節(jié)能、體積性均勻加熱和選擇性加熱等特點(diǎn),作為初步探索性研究,本文利用微波加熱方式開(kāi)展陶瓷表面金屬化的研究,為陶瓷表面的金屬化探索新的可選擇途徑。

　　實(shí)驗(yàn)基于目前廣泛使用的95Al₂O₃陶瓷表面Cu金屬化作為研究對(duì)象,以便于與現(xiàn)有技術(shù)比較。

1、實(shí)驗(yàn)

　　基體選用95Al₂O₃ ,金屬化配方先采用純Cu粉,平均粒度為1.45μm ,最大顆粒不大于3μm ,試驗(yàn)過(guò)程加C 粉和SiC 微粉(加入量都為5%(質(zhì)量比)) ,最終金屬化配方為Cu90%,C5% ,SiC5% ,其中SiC在較高溫度下SiC會(huì)發(fā)生氧化反應(yīng)形成SiO₂ 。采用磷酸二氫鋁為料漿載體、絲網(wǎng)印刷涂覆方式。微波處理采用直接微波處理和炭粉埋燒兩種處理工藝。微波加熱采用5kW高溫氣氛微波爐,紅外測(cè)溫儀測(cè)溫,樣品放置于微波爐下端轉(zhuǎn)動(dòng)平臺(tái)中心,紅外探頭設(shè)在爐頂并置于樣品轉(zhuǎn)動(dòng)平臺(tái)的偏中心處。采用SEM及其EDS能譜觀察界面結(jié)構(gòu)和分析界面組分變化。

2、結(jié)果與討論

2.1、純Cu粉金屬化層微波處理的氧化和熔化情況

　　先采用純Cu粉覆于氧化鋁陶瓷表面進(jìn)行了微波直接加熱處理,初步分析Cu粉的氧化和熔化情況,結(jié)果如表1 所示。從表1 可以看出,隨微波處理功率和時(shí)間的延長(zhǎng),Cu粉的氧化加重,在2kW處理?xiàng)l件下,表面層均含有Cu粉和其氧化物顆粒,3kW 處理時(shí),20 min 時(shí),金屬化層已流到側(cè)面,表面金屬化層變薄,只有在3kW/10min 處理?xiàng)l件可獲得氧化相對(duì)少、熔化情況良好的金屬化層,但由于此時(shí)的Cu粉氧化量32%,金屬化效果不佳。

表1 　微波處理?xiàng)l件對(duì)Cu氧化與熔化的影響

　　3kW/10min微波處理后的金屬與基體的界面結(jié)構(gòu)如圖1所示。從圖1可以看出,Cu氧化伴隨了金屬化層的膨脹(圖1(a)) ,界面上呈現(xiàn)很多顆粒狀的金屬氧化物(圖1 (b)) 。

圖1 　微波3kW/10min處理后金屬與基體界面(a) 及局部放大(b)

2.2、添加C粉、SiC粉和C粉埋燒對(duì)金屬化效果的影響

　　在上述3kW/10min微波處理基礎(chǔ)上,采用在金屬化配方中添加SiC粉(5 %) 、C 粉(5 %) 和采取C 粉保護(hù)埋燒的措施,進(jìn)一步試驗(yàn)。其中添加SiC粉的目的是增加金屬化層的微波吸收能力,因?yàn)镾iC 具有極佳的低溫微波吸收能力,且在較高溫度下還能被氧化為SiO₂ 添加C 粉的目的是防止金屬化層中Cu 的氧化,原理是C 與Cu 的氧化物發(fā)生反應(yīng)將氧化物還原為Cu ;增加C 粉保護(hù)埋燒也是為了更好的防止金屬化層的氧化。最終結(jié)果如表2 所示。由表2 數(shù)據(jù)可以看出,上述措施都有效防止了Cu 的氧化,最終獲得了金屬層在氧化鋁表面鋪展良好、僅有7 %Cu 氧化的金屬化效果。其界面形貌及其放大SEM 照片如圖2所示。

表2 　C,SiC,C粉保護(hù)對(duì)Cu氧化的影響(3kW/10min 處理)

圖2 　Cu/ 5SiC/ 5C/ 金屬化層且增加C 粉保護(hù)后微波3 kW/10min 處理后金屬與基體界面(a) 及局部放大(b)

2.3、金屬化層/基體界面的元素分析

　　利用EDX能譜儀對(duì)金屬化層/ 基體界面進(jìn)行了線掃描,為避免表面污染,選擇其斷裂面上的界面,結(jié)果如圖3 所示。由圖3 可以看出,金屬化層主要有Cu 組分,基體內(nèi)部也檢測(cè)出Cu 組分,說(shuō)明Cu向基體內(nèi)部發(fā)生了擴(kuò)散。

圖3 　基體/金屬化層界面的EDS分析

3、結(jié)論

　　利用微波加熱,可在氧化鋁陶瓷表面實(shí)現(xiàn)Cu金屬化。微波處理功率、時(shí)間、氧化氣氛環(huán)境和金屬化配方設(shè)計(jì)都會(huì)對(duì)金屬化質(zhì)量產(chǎn)生影響。