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推荐电镀污水中有机污染物去除工艺

电镀废水中的有机污染物来源主要有3个方面：镀前处理、电镀过程和镀后处理。污水中有机污染物的3种去除方法：生化法、微波化学法和物化法。

  • 氧化铟锡(ITO)防静电薄膜的制备方法

    利用ITO陶瓷靶及射频磁控溅射工艺制备了氧化铟锡(ITO)防静电薄膜。

  • ZnO∶Mo薄膜的光学性能研究

    ZMO薄膜的光禁带宽度Eog约为3.41eV, 在可见光范围内平均透过率达80%左右。

  • ZnO∶Mo薄膜的电学性能分析

    ZMO薄膜的电阻率随Mo离子掺杂量的增大而减小,在Mo 掺杂1.5wt% 时薄膜电阻率最小,为1.97 ×10 -3 Ω·cm, 而大于1.5wt% 时薄膜的电阻率逐渐增大

  • ZnO∶Mo薄膜的结构分析

    ZMO薄膜的c轴比体材料ZnO的c 轴拉长了;并且随着掺杂量的增加,c 轴有继续增长的趋势,即晶面间距也有增大的趋势。

  • 新型透明导电ZnO∶Mo薄膜的制备

    采用直流磁控反应溅射技术成功制备了新型ZnO∶Mo(ZMO) 透明导电薄膜。研究了钼掺杂量和基片温度等参数对ZMO薄膜结构和光电性能的影响。

  • 类金刚石薄膜的反应离子刻蚀的最佳刻蚀条件

    研究了类金刚石薄膜的反应离子刻蚀工艺。对刻蚀工艺参数如刻蚀时间、有无掩膜、反应气体的混合比、负偏压等对刻蚀的影响做了较详尽的研究。根据刻蚀规律。成功制备出“独立”微齿轮, 并进行组装。

  • 工艺参数对类金刚石薄膜刻蚀速率的影响

    工艺参数对类金刚石薄膜刻蚀速率的影响,刻蚀率相对稳定基本不随时间变化,有无掩膜对刻蚀率影响不大,刻蚀率随着氩体积百分含量的增大而降低。随着负偏压的增大先增大后减小。

  • 类金刚石薄膜的反应离子刻蚀实验

    本文对电子回旋共振(electron cyclotronresonance,ECR) 微波反应离子刻蚀类金刚石薄膜进行研究,研究了主要工艺参数对刻蚀率的影响,刻蚀出结构完整、失真度小、独立的微齿轮,并进行了组装。

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    论述了双冷却镀膜辊悬空平展镀膜技术的技术原理和结构特性，及其在解决CPP 流延塑料薄膜基材表面镀制铝膜时出现亮暗条纹线难题中的显著效果。并提出独特的蒸发机构冷却和自流式蒸发舟设置的特殊设计对提高大型宽幅高

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  • 磁控溅射靶磁场结构优化后实际刻蚀效果与实验

    磁控溅射是现代最重要的镀膜方法之一, 具有简单, 控制工艺参数精确和成膜质量好等特点。然而也有靶材利用率低、成膜速率低和离化率低等缺点。研究表明磁场结构对上述问题有重要影响, 本文介绍了一种磁控溅射靶磁路优

  • 磁控溅射靶的磁场的优化设计

    采用的是磁路叠加原理来改进磁控溅射靶的磁场，最后形成的水平磁场是接近于矩形波的双峰形式。这样靶面的磁力线和磁场强度的水平分量更加平滑, 能够有效地增加靶面跑道的宽度, 实现靶面均匀刻蚀。

  • 磁控溅射靶的磁场排布分析

    在平面磁控溅射靶中, 磁钢放置于靶材的后面, 穿过靶材表面的磁力线在靶材表面形成磁场。其中平行于靶面的磁场B 和垂直靶表面的电场E,形成平行于靶面的漂移场E×B。

  • 溅射铝膜的结构与表面形态分析

    X射线衍射图谱表明, 磁控溅射沉积的Al膜为多晶状态。用扫描电子显微镜对薄膜进行表面形貌的观察, 溅射气压为0.4Pa, 溅射功率为2600W时制备的Al膜较均匀致密。

  • 直流磁控溅射的工艺参数对铝膜沉积速率的影响

    Al膜的沉积速率随着溅射功率的增大先几乎呈线性增大而后缓慢增大; 随着溅射气压的增大, 沉积速率不断增大, 在0.4 Pa 时达到最大值后, 沉积速率随溅射气压的继续增大而减小。

  • 直流磁控溅射法在玻璃基片上制备铝薄膜的工艺研究

    采用直流磁控溅射方法, 以高纯Al为靶材, 高纯Ar为溅射气体, 在玻璃衬底上成功地制备了铝薄膜。

  • 真空镀铝纸印刷工艺中应注意的问题

    真空镀铝除要选择质量优良的镀铝纸外，在印刷工艺设计上，应尽量利用镀铝纸的特性，扬长避短。真空镀铝纸适用于UV 油墨印刷，可用胶印、网印、凹印等，但不同的印刷方法对油墨的要求有所差异。

  • 无栅网离子源的工作原理

    无栅网离子源的工作原理类似于磁控溅射,阳极偏压在磁力线束缚电子的区域产生高密度等离子体(high ne ionization region),离子的飞行轨迹不受磁场的影响,在偏压VDC作用下加速向阴极飞行,在开口处形成能量为VDC离子束,

  • 电子回旋共振(ECR)离子源的工作原理

    ECR离子源微波能量通过微波输入窗(由陶瓷或石英制成) 经波导或天线耦合进入放电室, 在窗上表面的永磁系统产生的高强磁场作用下, 放电室内的气体分子的外层电子做回旋运动。

  • RF-CCP(电容耦合) 和RF-ICP(感应耦合)离子源的结构原理

    电容耦合方式是由接地的放电室(由复合系数很小的材料如石英做成)和引入的驱动电极作为耦合元件，射频ICP源的发射天线绕在电绝缘的石英放电室外边,当通过匹配网络将射频功率加到线圈上时,线圈中就有射频电流通过,于是