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推荐电镀污水中有机污染物去除工艺

电镀废水中的有机污染物来源主要有3个方面：镀前处理、电镀过程和镀后处理。污水中有机污染物的3种去除方法：生化法、微波化学法和物化法。

  • 真空在镀膜工业中的应用

    真空镀膜所采用的方法主要有蒸发镀、溅射镀、离子镀、束流沉积镀以及分子束外延等。此外还有化学气相沉积法。

  • 等离子体辅助ITO薄膜低温生长

    等离子辅助可以有效控制ITO薄膜的结晶程度和晶粒尺寸以及晶界结构,在优化条件下,在PET基体上制备出电阻率为1.1×10-3Ω·cm的ITO薄膜.

  • V2O5复合薄膜材料的制备

    V2O5复合气凝胶薄膜材料的制备过程,主要是以v205粉末、苯甲醇(BA)、异丙醇(IP)和SWENTs为原料,采用溶胶-凝胶法、提拉法镀膜和溶剂替换的方法来制备.

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  • 靶电流对电弧离子镀TiAlN膜层组织及成分的影响

    在不同基材上沉积的膜层表面形貌存在差异;两种工艺在不同的基材上沉积的膜层中N、Al和Ti元素呈梯度分布,可明显的观察到界面处存在这三种元素的互扩散,使膜层与基体间形成冶金结合。

  • 电弧离子镀TiAlN涂层的热疲劳及抗氧化性能

    采用独立的高纯钛、铝靶,在TC4钛合金基材表面以电弧离子镀工艺沉积制备了TiAIN涂层.结果表明,TRAIN涂层表现出很好的热疲劳抗力,显著改善了钛合金的高温抗氧化性。

  • TiC薄膜的性能研究

    采用磁过滤直流电弧离子镀法在不同的CH4分压下制备了一系列的TiC薄膜,利用XRD和EDX表征了薄膜的相组成和微结构,用MCMS-1摩擦磨损测试仪,研究了不同CH4分压对薄膜摩擦性能的影响,采用DURAMIN-10型丹麦全自动显微硬度

  • 生长参数对Si1-xGex:C合金薄膜中元素分布的影响

    通过能量色散谱仪乔(EDS)和扫描电子显微镜(SEM)对合金薄膜的元素深度分布和表面形貌进行了表征,分析研究了外延层的生长温度、生长时间对Si1-xGex:C合金薄膜性质的影响.

  • 非平衡磁控溅射沉积TiN/Ti-O复合薄膜机械性能研究

    利用非平衡磁控溅射设备,采用四种不同的TiN到Ti-O的过渡方式,在Si(100)和Ti6A14V基体上制备了TiN/Ti-O薄膜。

  • 工艺参数和热处理温度对ZrW2O8薄膜制备的影响

    随着溅射功率的增加,薄膜沉积速率增加;而随着工作气压的增加,薄膜沉积速率先增加后减小;磁控溅射沉积制备的ZrW20s薄膜为非晶态,表面平滑、致密。

  • AZ31镁合金表面复合镀膜工艺研究

    研究了在AZ31镁合金表面依次进行浸锌、化学镀镍、电镀铜、电弧离子镀Cr/CaN的复合镀膜工艺。

  • 脉冲辉光PECVD制备DLC薄膜的结构和性能研究

    类金刚石碳膜以其优异的性能,诸如高电阻率、高硬度、低摩擦系数、良好的光学特性等显示出良好的应用前景,越来越受到人们的关注.本文利用脉冲辉光PECVD在不同的脉冲电压下成功地制备了DIE薄膜.

  • 离子束流和基底温度对ZrN/TiAlN纳米多层膜性能的影响

    大部分多层膜的纳米硬度与弹性模量值都高于两种个体材料硬度的平均值,当辅助束流为5 mA时,多层膜硬度达到30.6 GPa.基底温度的升高,会显著降低薄膜的残余应力,但对薄膜的硬度,摩擦系数没有明显影响.

  • 调制周期对TiB2/TiAlN纳米多层膜机械性能的影响

    利用射频磁控溅射技术,在室温下合成了具有纳米调制周期的TiB2/TiAlN多层膜.分别采用表面轮廓仪、纳米力学测试系统、多功能材料表面性能实验仪和XRD,分析了调制周期对TiB2/TiAlN纳米多层膜机械性能的影响.

  • ZnO:Mn稀磁薄膜光学性质和铁磁行为分析

    采用脉冲激光沉积技术在蓝宝石(α-Al2O3)衬底上制备了不同Mn掺杂浓度的ZnO薄膜.实验结果表明,合适浓度的Mn的掺人,有利于ZnO:Mn薄膜(002)生长而不形成Mn的氧化物。

  • 薄膜的应力控制技术研究现状

    薄膜应力普遍存在于薄膜元器件中,从而影响薄膜器件性能,限制了其良好的应用前景.所以控制薄膜的应力,消除其不良影响,是薄膜生产工艺中不可或缺的技术手段。

  • 溅射角度对氧化铬薄膜性能结构的影响

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    本工作采用化学气相淀积方法,以GcH4为反应气源,以InN/CaN/Al2O3(0001)复合衬底作陪片,在CaN/Al2O3(0001)复合衬底上外延生长了Ge薄膜,并对生长机理进行了探讨。

  • 等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术基础

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  • Pt插层对NiFe/FeMn薄膜交换耦合的影响

    采用磁控溅射方法制备了以Pt为缓冲层和保护层的NiFe/FeMn薄膜.在NiFe/FeMn界面插入Pt,发现交换偏置场(Hex)随着插层Pt厚度(tPt)的增加而减小。