国产农村妇女毛片精品久久,熟女性饥渴一区二区三区,香蕉久久一区二区不卡无毒影院,内射人妻无码色AV天堂

真空技術網 - 專業研究真空、真空技術及真空泵等真空設備的真空網。

推薦電鍍污水中有機污染物去除工藝

電鍍廢水中的有機污染物來源主要有3個方面：鍍前處理、電鍍過程和鍍后處理。污水中有機污染物的3種去除方法：生化法、微波化學法和物化法。

  • 電弧離子鍍沉積TiCx薄膜的結構和性能研究

    本文采用脈沖偏壓電弧離子鍍技術改變分離靶弧流獲得不同成分的TiCx薄膜，研究不同碳含量對薄膜結構和性能的影響。

  • 7A04鋁合金表面DLC薄膜制備及性能研究

    本研究利用RF-PIII&D設備，在7A04鋁合金表面制備DLC薄膜。為提高膜基結合力，采用非平衡磁控濺射技術，在鋁合金表面和DLC薄膜之間沉積一層Si膜，作為過渡層。

  • 納米金剛石的制備及研究進展

    通過簡要描述納米金剛石薄膜的生長機制，介紹了兩種制備納米金剛石薄膜的方法及其優勢，討論了兩種方法在納米金剛石的質量、尺寸及沉積速率等方面取得的最新研究進展，并對今后的主要研究方向進行了展望。

  • 波長漸變膜的設計與制備

    本文介紹了波長漸變膜的設計方法和光學性能，使用自制的掩模板和掩模板切換裝置，在磁控濺射機內鍍制波長漸變膜的工藝過程并分析結果。

  • 用鋁絲摻雜濺射ZnO薄膜的光電性能研究

    本文采用射頻磁控濺射法制備了ZnO薄膜，并且通過將鋁絲置于ZnO靶材表面來共同濺射制備了AZO薄膜，分析了它們的結構和光電特性。

  • 半球形基底鍍膜膜厚均勻性理論分析

    對特殊的非平面基片-半球表面上鍍制薄膜的膜厚均勻性進行了理論分析研究。該研究工作對半球面這種復雜的非平面基片上鍍膜膜厚均勻性研究工作具有理論指導意義，同時對改善此種表面上的膜厚分布研究提供了相關的理論

  • 超高阻隔膜制備工藝現狀及市場發展

    回顧了普通包裝膜到超高阻隔封裝膜的研究發展歷程，系統闡述用于柔性電子元件封裝的超高阻隔無機氧化物薄膜的制備工藝現狀，并對其市場的發展前景進行了深入的調查研究。

  • 應用于工具鍍膜的磁場輔助離子鍍弧源及其放電特性分析

    本文比較分析了不同磁場輔助受控弧源的靶結構、磁場位形及產生機制，討論了不同位形的磁場對弧斑運動、放電的影響以及由此導致的鍍膜工藝的優缺點等，對磁場控制的電弧離子鍍弧源的發展進行了展望。

  • 脈沖偏壓對多弧離子鍍TiAlN薄膜的成分和結構的影響研究

    本文在實驗中固定直流偏壓為100V，疊加不同的脈沖偏壓和不同占空比下成功制備了TiAlN薄膜，并對薄膜的微觀結構、原子組成和力學性能進行討論和總結。

  • 基體結構對Al/BN涂層性能的影響

    本文針對在役的Al/BN涂層顯微組織、結合強度、涂層硬度等內容進行研究，為涂層質量可靠性評價提供借鑒，以提高等離子噴涂Al/BN涂層的質量穩定性及質量控制水平。

  • 基底預處理對非晶碳/Mo2C復合薄膜場發射性能的影響

    本文采用機械研磨方法對Al2O3陶瓷襯底進行預處理，采用直流磁控濺射技術在基底上濺射Mo過渡層，隨后在微波等離子體增強化學沉積(MPECVD)系統中沉積非晶碳薄膜，研究了不同粒度金剛砂研磨基底對所制備樣品的場發射性

  • 非晶硅鍺薄膜電池研究進展及發展方向

    本文主要通過介紹不同研究機構的主要研究方向闡述非晶硅鍺電池的研究歷史、研究問題以及發展方向。

  • 背電極ZnO：Al薄膜與n-a-Si：H膜接觸特性的研究

    本文采用PECVD法在ZnO：Al薄膜上沉積了n-a-Si：H薄膜，接著分別用電子束蒸發和磁控濺射法在n-a-Si：H薄膜上制備ZnO：Al薄膜，并對ZnO：Al薄膜與n-a-Si：H薄膜的電接觸特性進行了研究，從而找到ZnO：Al薄膜的最優化條

  • TiO2薄膜元件阻變機理的模擬研究

    本文從模擬計算的角度對TiO2薄膜阻變機理進行研究，這在阻變機理推導研究中鮮見報道。通過將計算模擬結果分析得出的推斷與本課題組先前實驗研究得出的結論進行比較，可獲得更全面的阻變機制解釋。

  • 多弧離子鍍與磁控濺射聯用鍍制TiN/SiO2復合裝飾薄膜的研究

    本文結合多弧離子鍍和磁控濺射兩種鍍膜方法的優點，制備了TiN/SiO2復合薄膜。通過掃描電鏡可以觀察到，制備的復合膜比單純的氮化鈦薄膜更加致密和光滑，基本消除了大顆粒的影響。

  • La摻雜對SnO2薄膜光學特性影響的第一性原理及實驗研究

    目前為止，對于第一性原理的研究大多數都集中在F、Sb、In、Fe上，對稀土摻雜SnO2報道較少，本文結合理論與實驗對La 摻雜SnO2薄膜的光學性能進行分析，并為以后研究提供相應的參考依據。

  • YSZ/STO/YSZ-STO超晶格電解質薄膜低溫電學特性

    采用脈沖激光沉積法，在單側拋光的STO基底上制備YSZ/STO/YSZ超晶格薄膜。利用X射線衍射、掃描電鏡和射頻阻抗/材料分析儀對多層膜的物相結構、表面形貌以及電學特性等進行表征。

  • 等離子體增強原子層沉積Al2O3鈍化多晶黑硅的研究

    本文使用金屬輔助化學法制備多晶黑硅，再經低濃度堿溶液處理優化黑硅結構，最后用PEALD沉積了不同厚度的Al2O3鈍化層。采用掃描電鏡、分光光度計和少子壽命測試儀對黑硅的表面形貌、減反射特性和少子壽命變化進行了分

  • ZnO納米棒/CNTs復合陰極的制備及其場發射性能的研究

    本文采用低成本和簡單的方式來實現ZnO納米棒和CNTs的復合，通過水熱法生成ZnO納米棒陣列，利用簡單的噴涂方法來獲得ZnO納米棒/CNTs復合陰極，該復合陰極有極優的場發射性能。

  • 調制周期對Ti-TiN-Zr-ZrN多層膜性能的影響

    采用真空陰極電弧沉積技術，在TC11 鈦合金表面沉積同等厚度的三種不同調制周期Ti-TiN-Zr-ZrN 軟硬交替多層膜。