-
Ti-Al-Si-N涂層界面微結構研究
采用多元等離子體浸沒離子注入與沉積裝置制備Ti-Al-Si-N涂層,借助X射線衍射儀、X射線光電子能譜、透射電子顯微鏡、納米探針和原子力顯微鏡等系統研究涂層界面微結構與力學性能。
-
電弧離子鍍與磁控濺射復合技術制備Ti/TiN/TiAlN復合涂層的組織結構與力學性能
采用磁控濺射和電弧離子鍍技術,在高速鋼基體上制備了Ti/TiN/TiAlN復合涂層。采用掃描電子顯微鏡、X射線衍射儀、顯微硬度計、微米劃痕儀等方法研究了鍍覆條件對復合涂層的形貌、組織結構和力學性能的影響。
-
原子層沉積制備VO2薄膜及特性研究
本文旨在利用ALD 技術,以VO(acac)2和O2分別作為釩源和氧源,以玻璃為基底,在實現飽和吸附的前提下,通過改變沉積條件以及退火條件來研究不同反應溫度及退火條件對VO2薄膜結構及性能的影響,為后續VO2薄膜進一步研
-
ECR等離子體刻蝕增強機械拋光CVD金剛石
本文采用ECR等離子體刻蝕與機械拋光相結合的方法拋光CVD金剛石,并與單純的機械拋光CVD金剛石相比較,發現在機械拋光中增加ECR等離子體刻蝕能明顯增強機械拋光效率,特別是在機械拋光前期,組合拋光效率是機械拋光效
-
DC-HCPCVD法低溫低壓下納米金剛石膜的制備及生長特性研究
本文在CH4/H2氣氛下,在低溫低壓下低成本生長納米金剛石膜,研究所得納米金剛石膜的組成結構特點,擴展直流熱陰極PCVD法納米金剛石膜制備工藝。
-
Si(111)基片上Mg2Si薄膜的脈沖激光沉積
本文采用PLD技術,在Si(111) 基片上制備Mg2Si薄膜,研究PLD工藝參數對Mg2Si薄膜制備的影響,通過工藝優化制備得到純相、結構均勻、表面平整的Mg2Si薄膜。
-
NaCl結構VC薄膜生長過程中原子遷移的第一性原理研究
本文采用第一原理計算的方法研究了C和V原子在NaCl 結構VC 表面和晶體內部(111) 面上的遷移條件,并在此基礎上討論了工藝參數對薄膜生長的影響。
真空資訊
-
[ 行業動態 ]2021年《真空與低溫》優秀科技論文評選結果
-
[ 技術應用 ]切割泵解決泵站堵塞問題
-
[ 真空產品 ]河見公司推出AL型污水泵
-
[ 真空企業 ]上海玉川真空技術有限公司
推薦閱讀
熱門專題
閱讀排行
- 1等離子體增強化學氣相沉積(PECVD)技術基礎
等離子體增強化學氣相沉積(PECVD)是借助微波或射頻等使含有薄膜
- 2RF-CCP(電容耦合) 和RF-ICP(感應耦合)離子源的結
電容耦合方式是由接地的放電室(由復合系數很小的材料如石英做成)
- 3氧化鋅(ZnO)薄膜的性能分析
從ZnO薄膜的晶體結構、光學性能、電學性能、光電特性、氣敏特性
- 4真空鍍鋁工藝
真空鍍鋁是在真空狀態下,將鋁金屬加熱熔融至蒸發,鋁原子凝結在
- 5電子回旋共振(ECR)離子源的工作原理
ECR離子源微波能量通過微波輸入窗(由陶瓷或石英制成) 經波導或天
- 6化學氣相沉積(CVD)的概念與優點
化學氣相淀積CVD指把含有構成薄膜元素的氣態反應劑或液態反應劑
- 7六種石墨烯的制備方法介紹
本文介紹了6種石墨烯材料的制備方法:機械剝離法、化學氧化法、
- 8ITO 薄膜方塊電阻測試方法的探討
針對ITO 薄膜方塊電阻測試方法,文章探討了常規的四探針法與雙電
- 9反應磁控濺射的工作原理和遲滯現象的解決方法
反應磁控濺射技術是沉積化合物薄膜的主要方式之一。沉積多元成分
- 10薄膜厚度對TGZO透明導電薄膜光電性能的影響
利用直流磁控濺射法, 在室溫水冷玻璃襯底上成功制備出了可見光透